Znany producent chipów Intel (NASDAQ: INTC) ujawnił ambitny plan przywrócenia firmie wiodącej pozycji w branży półprzewodników do 2025 roku. Szczegóły, ujawnione przez dyrektora generalnego Pata Gelsingera w ramach webcastu Intel Accelerated, obejmowały informacje dotyczące pierwszej od ponad dekady aktualizacji architektury Intela.
Nowa architektura nazwana "RibbonFET" będzie pierwszą konstrukcją tranzystorów Intela typu "gate-all-around" (GAA) i obiecuje szybsze przełączanie tranzystorów, większą gęstość obliczeniową i mniejsze rozmiary. Ostatni raz Intel zaktualizował swoją architekturę tranzystorową w 2011 roku, wtedy pod pseudonimem FinFET.
Podsumowując, firma zaprezentowała pięć nowych technologii, które planuje wprowadzić do drugiej połowy dekady. Inną wartą uwagi informacją są szczegółowe plany Intela na wykorzystanie maszyn od ASML Holdings (NASDAQ: ASML). Ta nowa generacja sprzętu będzie wykorzystywała litografię w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) i pozwoli Intelowi nadrukowywać coraz mniejsze elementy na kilku następnych generacjach wafli krzemowych.
Intel ujawnił jeszcze jedną innowację dla branży - "PowerVia". Ta nowa technologia pozwoli Intelowi na zasilanie krzemu od tyłu, a nie od przodu, optymalizując transmisję sygnału.
"Opierając się na niekwestionowanym przywództwie Intela w dziedzinie zaawansowanych opakowań, przyspieszamy nasz plan rozwoju innowacji" - powiedział Gelsinger w komunikacie prasowym. "Wykorzystujemy nasz niezrównany potok innowacji, aby zapewnić postęp technologiczny - od poziomu tranzystora do systemu".
Intel ogłosił również zmiany w swojej strategii brandingowej. Dawno minęły czasy, w których Intel sprzedawał chipy, takie jak "10 nm Superfin". Zamiast tego firma planuje całkowicie porzucić wszelkie odniesienia do nanometrów. Intel twierdzi, że ta zmiana zapewni jego klientom "bardziej dokładny obraz węzłów procesowych w całej branży".
Intel 7 powinien pojawić się już w tym roku i oznaczać będzie drugą generację procesu technologicznego 10 nm Intela. Intel 4 i Intel 3 po raz pierwszy zastosują proces 7 nm firmy i w pełni wykorzystają EUV do zwiększenia wydajności na wat odpowiednio o 20% i 18%. Zarówno Intel 4, jak i Intel 3 będą realizować plan działania firmy do 2024 roku.
Intel nie użyje swojej nowej architektury RibbonFET ani technologii PowerVia, dopóki nie wypuści Intel 20A, gdzie A oznacza angstrem, jednostkę równą mniej więcej jednej dziesiątej nanometra. Korzystając z obu innowacji, Intel spodziewa się, że Intel 20A zapewni tak wysoką wydajność na wat, że zapoczątkuje zupełnie nową erę projektowania układów, "erę angstrem". Intel spodziewa się, że do 2025 roku, po wprowadzeniu na rynek Intel 18A, powróci na swoje miejsce w czołówce branży półprzewodników.
Jednak Intel może sobie pozwolić na niewiele, jeśli w ogóle, przerw w drodze powrotnej na szczyt. W przeszłości wysiłki spółki zmierzające do przeskoczenia wielu technicznych przeszkód skutkowały opóźnieniami. Opóźnienia, które pozostawiły firmę o pokolenie za jej konkurentami, takimi jak TSMC (NYSE: TSM) czy Samsung, którzy są już w trakcie udoskonalania procesu 5 nm.
Pod tym względem plany Intela mogą okazać się zbyt ambitne. Firma planuje dogonić branżę do 2024 roku i już rok później ponownie ją zdominować, co wydaje się całkowicie mało prawdopodobne, biorąc pod uwagę przewagę konkurentów.
Jednak David Kanter, analityk z Real World Technologies, w rozmowie z agencją prasową Reuters zwrócił uwagęna ostrożny charakter planów Intela i powiedział, że spodziewa się, że tym razem nie zwycięży ich pycha.
"Intel zdecydowanie nadrobi zaległości i wyprzedzi pod pewnymi względami TSMC w ciągu najbliższych kilku lat" - powiedział. "Intel naprawdę ma ludzi, którzy spędzają cały swój czas na szukaniu sposobów wdrażania nowych materiałów i technologii, aby zwiększyć ich wydajność".